中國晶片「去美化」重大進展！半導體設備國產化提前破50％、7奈米驗證提速

根據中國工信部掌握的相關資料，中國半導體設備的國產化已比原定時程提前一年跨越官方設定的 50% 門檻。

根據《南華早報》報導，至 2025 年底，中國全國晶圓廠新增產線中，採用國產設備的金額占比已攀升至 55%，較原先 2024 年的政策目標高出約 5 個百分點。

其中，刻蝕、薄膜沉積與清洗等關鍵製程的設備國產化水準皆突破六成，而 7 奈米製程驗證線的推進速度亦較規畫快上一倍，為 14 奈米「全國產供應鏈」的實際落地奠定重要基礎。

工信部文件顯示，截至 2025 年 12 月，中國全國新建及擴建的 12 吋晶圓廠產線，設備招標總金額累計約 430 億元人民幣，其中國產設備金額達 236 億元，占整體比重約 55%。

若進一步觀察各類設備，刻蝕機的國產化率已提升至 65%，薄膜沉積設備與清洗設備分別達 61% 與 63%，離子注入設備也上升至 35%。

相較之下，量測與微影設備仍屬技術突破的關鍵難點，國產化率分別為 25% 與 18%，但相較 2022 年水準，已分別增加約 10 個與 6 個百分點。

在先進製程方面，中國國產設備的驗證進展超出市場預期。中芯國際 (688981-CN) 南方廠的 7 奈米試驗線原訂於 2026 年第二季完成工藝驗證，現已提前至 2025 年底通線，核心刻蝕、薄膜與清洗設備全面切換為國產型號。

該產線首批 256 Mb SRAM 良率突破 42%，較原計畫高出 8 個百分點。內部人士透露，中國國產 14 奈米等級的 High-k 金屬柵全套設備亦已通過可靠性考核，最快可於 2026 年第二季導入量產。

資本市場迅速反應。中微公司 (688012-CN) 、北方華創 (002371-CN) 、華海清科 (688120-CN) 、盛美上海 (688082-CN) 近日再掀漲停潮，設備指數單日上漲 12%，三日累計漲幅達 28%。

券商研究報告指出，依目前晶圓廠招標節奏推算，2026 年中國國產半導體設備市場規模有望突破 500 億人民幣，年複合成長率可望維持在 30% 左右。

在技術層面，中國國產龍頭廠商已於部分細分市場實現突破。中微公司的 CCP 刻蝕設備已進入 5 奈米循環驗證，關鍵尺寸均勻性小於 1 奈米。

而北方華創的原子層沉積（ALD）設備則成功取得長江存儲 400 層 3D NAND 訂單，單片鎢薄膜厚度誤差控制在 0.5 埃（Å）以內。

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